GA50JT12-247

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Pieza del fabricante	GA50JT12-247
Fabricante	GeneSiC Semiconductor
Descripción	TRANS SJT 1200V 100A TO247AB
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - simples
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	GA50JT12-247 PDF

Disponibilidad

En stock	6
Precio unitario	$ 99.01000

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GA50JT12-247 Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	-
tecnología:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	1200 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	100A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	-
rds en (máx.) @ id, vgs:	25mOhm @ 50A
vgs(th) (máx) @ id:	-
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	-
vgs (máx.):	-
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	7209 pF @ 800 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	583W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-247AB
paquete / caja:	TO-247-3

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