SCTH100N65G2-7AG

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Pieza del fabricante	SCTH100N65G2-7AG
Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - simples
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	SCTH100N65G2-7AG PDF

Disponibilidad

En stock	22
Precio unitario	$ 27.92000

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SCTH100N65G2-7AG Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	Automotive, AEC-Q101
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	SiCFET (Silicon Carbide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	650 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	95A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	18V
rds en (máx.) @ id, vgs:	26mOhm @ 50A, 18V
vgs(th) (máx) @ id:	5V @ 5mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	162 nC @ 18 V
vgs (máx.):	+22V, -10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	3315 pF @ 520 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	360W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	H2PAK-7
paquete / caja:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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