IRFS4410ZPBF

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Pieza del fabricante	IRFS4410ZPBF
Fabricante	Rochester Electronics
Descripción	MOSFET N-CH 100V 97A TO263-3-2
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - simples
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	IRFS4410ZPBF PDF

Disponibilidad

En stock	466.540
Precio unitario	$ 1.15000

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IRFS4410ZPBF Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	HEXFET®
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	100 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	97A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	-
rds en (máx.) @ id, vgs:	9mOhm @ 58A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 150µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	120 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	4820 pF @ 50 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	230W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TO263-3-2
paquete / caja:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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