CSD19538Q2T

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Pieza del fabricante	CSD19538Q2T
Fabricante	Texas Instruments
Descripción	MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - simples
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Disponibilidad

En stock	18.139.750
Precio unitario	$ 0.68000

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CSD19538Q2T Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	NexFET™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	100 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	13.1A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	6V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	59mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3.8V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	5.6 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	454 pF @ 50 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	6-WSON (2x2)
paquete / caja:	6-WDFN Exposed Pad

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