IPD60R600E6ATMA1

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Pieza del fabricante	IPD60R600E6ATMA1
Fabricante	Rochester Electronics
Descripción	COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - simples
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	IPD60R600E6ATMA1 PDF

Disponibilidad

En stock	8.488
Precio unitario	$ 0.52000

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IPD60R600E6ATMA1 Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	CoolMOS™ E6
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	600 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	7.3A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	600mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3.5V @ 200µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	20.5 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	440 pF @ 100 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	63W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-252
paquete / caja:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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