IPI120N08S403AKSA1

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Pieza del fabricante	IPI120N08S403AKSA1
Fabricante	Rochester Electronics
Descripción	MOSFET N-CH 80V 120A TO262-3-1
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - simples
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	IPI120N08S403AKSA1 PDF

Disponibilidad

En stock	7.000
Precio unitario	$ 2.12000

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IPI120N08S403AKSA1 Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	80 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	120A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	2.8mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 223µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	167 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	11.55 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	278W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TO262-3-1
paquete / caja:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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