SPP20N60CFDXKSA1

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Pieza del fabricante	SPP20N60CFDXKSA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Descripción	MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - simples
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	SPP20N60CFDXKSA1 PDF

Disponibilidad

En stock	186.485
Precio unitario	$ 3.31116

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SPP20N60CFDXKSA1 Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	CoolMOS™
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Not For New Designs
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	650 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	20.7A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	220mOhm @ 13.1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	5V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	124 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	2400 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	208W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TO220-3-1
paquete / caja:	TO-220-3

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