EPC2016C

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Pieza del fabricante	EPC2016C
Fabricante	EPC
Descripción	GANFET N-CH 100V 18A DIE
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - simples
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	EPC2016C PDF

Disponibilidad

En stock	134.646
Precio unitario	$ 2.45000

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EPC2016C Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	eGaN®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	GaNFET (Gallium Nitride)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	100 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	18A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	16mOhm @ 11A, 5V
vgs(th) (máx) @ id:	2.5V @ 3mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	4.5 nC @ 5 V
vgs (máx.):	+6V, -4V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	420 pF @ 50 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	-
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	Die
paquete / caja:	Die

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