QJD1210010

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Pieza del fabricante	QJD1210010
Fabricante	Powerex, Inc.
Descripción	MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - arreglos
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	QJD1210010 PDF

Disponibilidad

En stock	1.462.769
Precio unitario	$ 0.00000

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QJD1210010 Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Silicon Carbide (SiC)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	1200V (1.2kV)
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	100A (Tc)
rds en (máx.) @ id, vgs:	25mOhm @ 100A, 20V
vgs(th) (máx) @ id:	5V @ 10mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	500nC @ 20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	10200pF @ 800V
potencia - máx.:	1080W
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Chassis Mount
paquete / caja:	Module
paquete de dispositivos del proveedor:	Module

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