APTM100VDA35T3G

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Pieza del fabricante	APTM100VDA35T3G
Fabricante	Microsemi
Descripción	MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - arreglos
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Disponibilidad

En stock	2.925.510
Precio unitario	$ 0.00000

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APTM100VDA35T3G Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	POWER MOS 7®
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Standard
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	1000V (1kV)
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	22A
rds en (máx.) @ id, vgs:	420mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	5V @ 2.5mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	186nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	5200pF @ 25V
potencia - máx.:	390W
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Chassis Mount
paquete / caja:	SP3
paquete de dispositivos del proveedor:	SP3

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