A2T18S261W12NR3

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Pieza del fabricante	A2T18S261W12NR3
Fabricante	NXP Semiconductors
Descripción	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - rf
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	A2T18S261W12NR3 PDF

Disponibilidad

En stock	1.083.672
Precio unitario	$ 0.00000

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A2T18S261W12NR3 Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de transistor:	LDMOS
frecuencia:	1.805GHz ~ 1.88GHz
ganar:	18.2dB
voltaje - prueba:	28 V
clasificación actual (amperios):	10µA
figura de ruido:	-
corriente - prueba:	1.5 A
Salida de potencia:	280W
voltaje - nominal:	65 V
paquete / caja:	OM-880X-2L2L
paquete de dispositivos del proveedor:	OM-880X-2L2L

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