BSM180D12P2E002

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Pieza del fabricante	BSM180D12P2E002
Fabricante	ROHM Semiconductor
Descripción	1200V, 204A, HALF BRIDGE, SILICO
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - arreglos
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	BSM180D12P2E002 PDF

Disponibilidad

En stock	8
Precio unitario	$ 676.50000

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BSM180D12P2E002 Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	2 N-Channel (Half Bridge)
característica fet:	Silicon Carbide (SiC)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	1200V (1.2kV)
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	204A (Tc)
rds en (máx.) @ id, vgs:	-
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 35.2mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	-
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	18000pF @ 10V
potencia - máx.:	1360W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Chassis Mount
paquete / caja:	Module
paquete de dispositivos del proveedor:	Module

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