EPC2012

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Pieza del fabricante	EPC2012
Fabricante	EPC
Descripción	GANFET N-CH 200V 3A DIE
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - simples
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	EPC2012 PDF

Disponibilidad

En stock	577.964
Precio unitario	$ 0.00000

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EPC2012 Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	eGaN®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Discontinued at Digi-Key
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	GaNFET (Gallium Nitride)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	200 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	3A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	100mOhm @ 3A, 5V
vgs(th) (máx) @ id:	2.5V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	1.8 nC @ 5 V
vgs (máx.):	+6V, -5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	145 pF @ 100 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	-
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	Die
paquete / caja:	Die

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