PMGD8000LN,115

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Pieza del fabricante	PMGD8000LN,115
Fabricante	NXP Semiconductors
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - arreglos
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	PMGD8000LN,115 PDF

Disponibilidad

En stock	558.045
Precio unitario	$ 0.00000

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PMGD8000LN,115 Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	TrenchMOS™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	125mA
rds en (máx.) @ id, vgs:	8Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (máx) @ id:	1.5V @ 100µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	0.35nC @ 4.5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	18.5pF @ 5V
potencia - máx.:	200mW
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
paquete de dispositivos del proveedor:	6-TSSOP

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