EPC2106ENGRT

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Pieza del fabricante	EPC2106ENGRT
Fabricante	EPC
Descripción	GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - arreglos
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	EPC2106ENGRT PDF

Disponibilidad

En stock	744.019
Precio unitario	$ 0.00000

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EPC2106ENGRT Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	eGaN®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Discontinued at Digi-Key
tipo de feto:	2 N-Channel (Half Bridge)
característica fet:	GaNFET (Gallium Nitride)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	100V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	1.7A
rds en (máx.) @ id, vgs:	70mOhm @ 2A, 5V
vgs(th) (máx) @ id:	2.5V @ 600µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	0.73nC @ 5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	75pF @ 50V
potencia - máx.:	-
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	Die
paquete de dispositivos del proveedor:	Die

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