W987D2HBJX7E

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Pieza del fabricante	W987D2HBJX7E
Fabricante	Winbond Electronics Corporation
Descripción	IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA
Categoría	circuitos integrados
Familia	memoria
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	W987D2HBJX7E PDF

Disponibilidad

En stock	604.996
Precio unitario	$ 2.44729

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W987D2HBJX7E Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Not For New Designs
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	DRAM
tecnología:	SDRAM - Mobile LPSDR
tamaño de la memoria:	128Mb (4M x 32)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	133 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	15ns
tiempo de acceso:	5.4 ns
suministro de voltaje:	1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento:	-25°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	90-TFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	90-VFBGA (8x13)

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