FGY75N60SMD

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Pieza del fabricante	FGY75N60SMD
Fabricante	Rochester Electronics
Descripción	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - igbts - simple
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	FGY75N60SMD PDF

Disponibilidad

En stock	50
Precio unitario	$ 3.50000

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FGY75N60SMD Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo igbt:	Field Stop
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	600 V
corriente - colector (ic) (max):	150 A
corriente - colector pulsado (icm):	225 A
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:	2.5V @ 15V, 75A
potencia - máx.:	750 W
energía de conmutación:	2.3mJ (on), 770µJ (off)
tipo de entrada:	Standard
carga de la puerta:	248 nC
td (encendido/apagado) @ 25°c:	24ns/136ns
condición de prueba:	400V, 75A, 3Ohm, 15V
tiempo de recuperación inversa (trr):	55 ns
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	TO-247-3 Variant
paquete de dispositivos del proveedor:	PowerTO-247-3

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