HGTP5N120BND

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Pieza del fabricante	HGTP5N120BND
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción	IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - igbts - simple
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	HGTP5N120BND PDF

Disponibilidad

En stock	384.714
Precio unitario	$ 1.38624

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HGTP5N120BND Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Not For New Designs
tipo igbt:	NPT
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	1200 V
corriente - colector (ic) (max):	21 A
corriente - colector pulsado (icm):	40 A
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:	2.7V @ 15V, 5A
potencia - máx.:	167 W
energía de conmutación:	450µJ (on), 390µJ (off)
tipo de entrada:	Standard
carga de la puerta:	53 nC
td (encendido/apagado) @ 25°c:	22ns/160ns
condición de prueba:	960V, 5A, 25Ohm, 15V
tiempo de recuperación inversa (trr):	65 ns
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	TO-220-3
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220-3

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