HGTD1N120BNS9A

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Pieza del fabricante	HGTD1N120BNS9A
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción	IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - igbts - simple
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	HGTD1N120BNS9A PDF

Disponibilidad

En stock	7.588
Precio unitario	$ 1.51000

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HGTD1N120BNS9A Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo igbt:	NPT
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	1200 V
corriente - colector (ic) (max):	5.3 A
corriente - colector pulsado (icm):	6 A
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:	2.9V @ 15V, 1A
potencia - máx.:	60 W
energía de conmutación:	70µJ (on), 90µJ (off)
tipo de entrada:	Standard
carga de la puerta:	14 nC
td (encendido/apagado) @ 25°c:	15ns/67ns
condición de prueba:	960V, 1A, 82Ohm, 15V
tiempo de recuperación inversa (trr):	-
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-252AA

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