G3R45MT17D

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Pieza del fabricante	G3R45MT17D
Fabricante	GeneSiC Semiconductor
Descripción	SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - simples
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	G3R45MT17D PDF

Disponibilidad

En stock	188.489
Precio unitario	$ 32.68000

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G3R45MT17D Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	G3R™
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	SiCFET (Silicon Carbide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	1700 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	61A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	15V
rds en (máx.) @ id, vgs:	58mOhm @ 40A, 15V
vgs(th) (máx) @ id:	2.7V @ 8mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	182 nC @ 15 V
vgs (máx.):	±15V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	4523 pF @ 1000 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	438W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-247-3
paquete / caja:	TO-247-3

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