TPH3205WSBQA

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Pieza del fabricante	TPH3205WSBQA
Fabricante	Transphorm
Descripción	GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - simples
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	TPH3205WSBQA PDF

Disponibilidad

En stock	406
Precio unitario	$ 22.97000

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TPH3205WSBQA Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	Automotive, AEC-Q101
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Not For New Designs
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	GaNFET (Gallium Nitride)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	650 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	35A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	62mOhm @ 22A, 8V
vgs(th) (máx) @ id:	2.6V @ 700µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	42 nC @ 8 V
vgs (máx.):	±18V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	2200 pF @ 400 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-247-3
paquete / caja:	TO-247-3

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