IPB47N10S33ATMA1

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Pieza del fabricante	IPB47N10S33ATMA1
Fabricante	Rochester Electronics
Descripción	MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3-2
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - simples
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	IPB47N10S33ATMA1 PDF

Disponibilidad

En stock	446
Precio unitario	$ 0.97000

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IPB47N10S33ATMA1 Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	SIPMOS®
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	100 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	47A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	33mOhm @ 33A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 2mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	105 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	2.5 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	175W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TO263-3-2
paquete / caja:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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