G3R350MT12D

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Pieza del fabricante	G3R350MT12D
Fabricante	GeneSiC Semiconductor
Descripción	SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - simples
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	G3R350MT12D PDF

Disponibilidad

En stock	1.167
Precio unitario	$ 4.86000

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G3R350MT12D Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	G3R™
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	SiCFET (Silicon Carbide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	1200 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	11A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	15V
rds en (máx.) @ id, vgs:	420mOhm @ 4A, 15V
vgs(th) (máx) @ id:	2.69V @ 2mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	12 nC @ 15 V
vgs (máx.):	±15V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	334 pF @ 800 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	74W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-247-3
paquete / caja:	TO-247-3

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