FDMS86103L

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Pieza del fabricante	FDMS86103L
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 100V 12A/49A 8PQFN
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - simples
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	FDMS86103L PDF

Disponibilidad

En stock	9.000
Precio unitario	$ 1.88000

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FDMS86103L Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	PowerTrench®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	100 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	12A (Ta), 49A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	8mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	60 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	3710 pF @ 50 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	2.5W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	8-PQFN (5x6)
paquete / caja:	8-PowerTDFN

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