TP65H300G4LSG

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Pieza del fabricante	TP65H300G4LSG
Fabricante	Transphorm
Descripción	GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - simples
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	TP65H300G4LSG PDF

Disponibilidad

En stock	240
Precio unitario	$ 4.02000

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TP65H300G4LSG Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	GaNFET (Gallium Nitride)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	650 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	6.5A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	8V
rds en (máx.) @ id, vgs:	312mOhm @ 5A, 8V
vgs(th) (máx) @ id:	2.6V @ 500µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	9.6 nC @ 8 V
vgs (máx.):	±18V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	760 pF @ 400 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	21W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	3-PQFN (8x8)
paquete / caja:	3-PowerDFN

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