FQU13N10LTU

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Pieza del fabricante	FQU13N10LTU
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - simples
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	FQU13N10LTU PDF

Disponibilidad

En stock	1.351
Precio unitario	$ 0.82000

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FQU13N10LTU Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	QFET®
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	100 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	10A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	180mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	12 nC @ 5 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	520 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	2.5W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	I-PAK
paquete / caja:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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