SCT2280KEC

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Pieza del fabricante	SCT2280KEC
Fabricante	ROHM Semiconductor
Descripción	SICFET N-CH 1200V 14A TO247
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - simples
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	SCT2280KEC PDF

Disponibilidad

En stock	2.075
Precio unitario	$ 11.02000

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SCT2280KEC Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	SiCFET (Silicon Carbide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	1200 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	14A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	18V
rds en (máx.) @ id, vgs:	364mOhm @ 4A, 18V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 1.4mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	36 nC @ 18 V
vgs (máx.):	+22V, -6V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	667 pF @ 800 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	108W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-247
paquete / caja:	TO-247-3

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