3N163 DIE

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Pieza del fabricante	3N163 DIE
Fabricante	Linear Integrated Systems, Inc.
Descripción	P-CHANNEL, SINGLE ENHANCEMENT MO
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - simples
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	3N163 DIE PDF

Disponibilidad

En stock	400
Precio unitario	$ 2.36000

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3N163 DIE Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	40 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	50mA
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	20V
rds en (máx.) @ id, vgs:	250Ohm @ 100µA, 20V
vgs(th) (máx) @ id:	5V @ 10µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	-
vgs (máx.):	-6.5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	3.5 pF @ 15 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	-
Temperatura de funcionamiento:	-
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	Die
paquete / caja:	Die

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