IPW60R190P6

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Pieza del fabricante	IPW60R190P6
Fabricante	Rochester Electronics
Descripción	MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - simples
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	IPW60R190P6 PDF

Disponibilidad

En stock	312.434
Precio unitario	$ 1.43000

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IPW60R190P6 Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	CoolMOS™ P6
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	600 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	20.2A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	-
rds en (máx.) @ id, vgs:	190mOhm @ 7.6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4.5V @ 630µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	37 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1750 pF @ 100 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	151W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TO247
paquete / caja:	TO-247-3

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