FDB8832

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Pieza del fabricante	FDB8832
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263AB
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - simples
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	FDB8832 PDF

Disponibilidad

En stock	2.807
Precio unitario	$ 3.32000

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FDB8832 Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	PowerTrench®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	34A (Ta), 80A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	1.9mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	265 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	11400 pF @ 15 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-263AB
paquete / caja:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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