FDFM2P110

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Pieza del fabricante	FDFM2P110
Fabricante	Rochester Electronics
Descripción	MOSFET P-CH 20V 3.5A MICROFET
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - simples
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	FDFM2P110 PDF

Disponibilidad

En stock	468.198
Precio unitario	$ 0.32000

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FDFM2P110 Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	PowerTrench®
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	20 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	3.5A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	2.5V, 4.5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	140mOhm @ 3.5A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	1.5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	4 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±12V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	280 pF @ 10 V
característica fet:	Schottky Diode (Isolated)
disipación de potencia (máx.):	2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	MicroFET 3x3mm
paquete / caja:	6-WDFN Exposed Pad

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