IRF3708PBF

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Pieza del fabricante	IRF3708PBF
Fabricante	Rochester Electronics
Descripción	HEXFET SMPS POWER MOSFET
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - simples
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	IRF3708PBF PDF

Disponibilidad

En stock	13.350
Precio unitario	$ 0.60000

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IRF3708PBF Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	HEXFET®
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	62A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	2.8V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	12mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	24 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±12V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	2.417 pF @ 15 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	87W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220AB
paquete / caja:	TO-220-3

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