IPI80N04S4L04AKSA1

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Pieza del fabricante	IPI80N04S4L04AKSA1
Fabricante	Rochester Electronics
Descripción	MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - simples
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	IPI80N04S4L04AKSA1 PDF

Disponibilidad

En stock	26.000
Precio unitario	$ 0.43000

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IPI80N04S4L04AKSA1 Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	OptiMOS™
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	40 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	80A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	4.3mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.2V @ 35µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	60 nC @ 10 V
vgs (máx.):	+20V, -16V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	4.69 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	71W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TO262-3
paquete / caja:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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