UF3SC120009K4S

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Pieza del fabricante	UF3SC120009K4S
Fabricante	UnitedSiC
Descripción	SICFET N-CH 1200V 120A TO247-4
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - simples
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	UF3SC120009K4S PDF

Disponibilidad

En stock	1.742
Precio unitario	$ 75.45000

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UF3SC120009K4S Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	SiCFET (Cascode SiCJFET)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	1200 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	120A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	12V
rds en (máx.) @ id, vgs:	11mOhm @ 100A, 12V
vgs(th) (máx) @ id:	6V @ 10mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	234 nC @ 15 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	8512 pF @ 100 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	789W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-247-4
paquete / caja:	TO-247-4

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