SIHH24N65E-T1-GE3

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Pieza del fabricante	SIHH24N65E-T1-GE3
Fabricante	Vishay / Siliconix
Descripción	MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - simples
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	SIHH24N65E-T1-GE3 PDF

Disponibilidad

En stock	3.977
Precio unitario	$ 7.13000

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SIHH24N65E-T1-GE3 Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	650 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	23A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	150mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	116 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	2814 pF @ 100 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	202W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	PowerPAK® 8 x 8
paquete / caja:	8-PowerTDFN

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