GA10SICP12-263

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Pieza del fabricante	GA10SICP12-263
Fabricante	GeneSiC Semiconductor
Descripción	TRANS SJT 1200V 25A D2PAK
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - simples
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	GA10SICP12-263 PDF

Disponibilidad

En stock	373.760
Precio unitario	$ 29.67690

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GA10SICP12-263 Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	-
tecnología:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	1200 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	25A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	-
rds en (máx.) @ id, vgs:	100mOhm @ 10A
vgs(th) (máx) @ id:	-
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	-
vgs (máx.):	-
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1403 pF @ 800 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	170W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	D2PAK (7-Lead)
paquete / caja:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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