TPH3212PS

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Pieza del fabricante	TPH3212PS
Fabricante	Transphorm
Descripción	GANFET N-CH 650V 27A TO220AB
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - simples
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	TPH3212PS PDF

Disponibilidad

En stock	559
Precio unitario	$ 14.65000

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TPH3212PS Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Last Time Buy
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	650 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	27A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	72mOhm @ 17A, 8V
vgs(th) (máx) @ id:	2.6V @ 400uA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	14 nC @ 8 V
vgs (máx.):	±18V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1130 pF @ 400 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220AB
paquete / caja:	TO-220-3

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