SPD04N50C3ATMA1

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Pieza del fabricante	SPD04N50C3ATMA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Descripción	MOSFET N-CH 500V 4.5A TO252-3
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - simples
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	SPD04N50C3ATMA1 PDF

Disponibilidad

En stock	8.220
Precio unitario	$ 1.59000

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SPD04N50C3ATMA1 Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	CoolMOS™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Not For New Designs
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	500 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	4.5A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	950mOhm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3.9V @ 200µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	22 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	470 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TO252-3-1
paquete / caja:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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