IMBG120R090M1HXTMA1

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Pieza del fabricante	IMBG120R090M1HXTMA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Descripción	TRANS SJT N-CH 1.2KV 26A TO263
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - simples
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	IMBG120R090M1HXTMA1 PDF

Disponibilidad

En stock	466.828
Precio unitario	$ 14.47000

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IMBG120R090M1HXTMA1 Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	CoolSiC™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	1.2 kV
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	26A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	-
rds en (máx.) @ id, vgs:	125mOhm @ 8.5A, 18V
vgs(th) (máx) @ id:	5.7V @ 3.7mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	23 nC @ 18 V
vgs (máx.):	+18V, -15V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	763 pF @ 800 V
característica fet:	Standard
disipación de potencia (máx.):	136W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TO263-7-12
paquete / caja:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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