RS1E260ATTB1

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Pieza del fabricante	RS1E260ATTB1
Fabricante	ROHM Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - simples
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Disponibilidad

En stock	2.061
Precio unitario	$ 3.00000

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RS1E260ATTB1 Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	26A (Ta), 80A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	3.1mOhm @ 26A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.5V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	175 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	7850 pF @ 15 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	8-HSOP
paquete / caja:	8-PowerTDFN

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