FCB110N65F

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Pieza del fabricante	FCB110N65F
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - simples
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	FCB110N65F PDF

Disponibilidad

En stock	1.017
Precio unitario	$ 5.08000

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FCB110N65F Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	FRFET®, SuperFET® II
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	650 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	35A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	110mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	5V @ 3.5mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	145 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	4895 pF @ 100 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	357W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	D²PAK
paquete / caja:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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