TK560A60Y,S4X

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Pieza del fabricante	TK560A60Y,S4X
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descripción	MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - simples
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	TK560A60Y,S4X PDF

Disponibilidad

En stock	102
Precio unitario	$ 1.61000

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TK560A60Y,S4X Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	DTMOSV
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	600 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	7A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	560mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 240µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	14.5 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	380 pF @ 300 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	30W
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220SIS
paquete / caja:	TO-220-3 Full Pack

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