IRLM120ATF

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Pieza del fabricante	IRLM120ATF
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223-4
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - simples
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	IRLM120ATF PDF

Disponibilidad

En stock	8.000
Precio unitario	$ 0.25074

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IRLM120ATF Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Not For New Designs
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	100 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	2.3A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	220mOhm @ 1.15A, 5V
vgs(th) (máx) @ id:	2V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	15 nC @ 5 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	440 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	2.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	SOT-223-4
paquete / caja:	TO-261-4, TO-261AA

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