SPD15P10PGBTMA1

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Pieza del fabricante	SPD15P10PGBTMA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Descripción	MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - simples
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	SPD15P10PGBTMA1 PDF

Disponibilidad

En stock	542
Precio unitario	$ 1.71000

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SPD15P10PGBTMA1 Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	100 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	15A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	240mOhm @ 10.6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.1V @ 1.54mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	48 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1280 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	128W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TO252-3
paquete / caja:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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