TP90H050WS

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Pieza del fabricante	TP90H050WS
Fabricante	Transphorm
Descripción	GANFET N-CH 900V 34A TO247-3
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - simples
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	TP90H050WS PDF

Disponibilidad

En stock	328
Precio unitario	$ 20.03000

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TP90H050WS Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	900 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	34A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	63mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4.4V @ 700µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	17.5 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	980 pF @ 600 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	119W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-247-3
paquete / caja:	TO-247-3

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