PSMN2R6-60PSQ127

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Pieza del fabricante	PSMN2R6-60PSQ127
Fabricante	Rochester Electronics
Descripción	MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - simples
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	PSMN2R6-60PSQ127 PDF

Disponibilidad

En stock	186.521
Precio unitario	$ 1.00000

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PSMN2R6-60PSQ127 Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	TrenchMOS™
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	60 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	150A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	-
rds en (máx.) @ id, vgs:	2.6mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	140 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	7629 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	326W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220AB
paquete / caja:	TO-220-3

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