STB8NM60D

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Pieza del fabricante	STB8NM60D
Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 600V 8A D2PAK
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - simples
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	STB8NM60D PDF

Disponibilidad

En stock	978
Precio unitario	$ 2.73000

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STB8NM60D Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	MDmesh™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Not For New Designs
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	600 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	8A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	1Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	18 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	380 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	D2PAK
paquete / caja:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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