HS8K11TB

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Pieza del fabricante	HS8K11TB
Fabricante	ROHM Semiconductor
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - arreglos
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	HS8K11TB PDF

Disponibilidad

En stock	668
Precio unitario	$ 0.67000

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HS8K11TB Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	7A, 11A
rds en (máx.) @ id, vgs:	17.9mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.5V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	11.1nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	500pF @ 15V
potencia - máx.:	2W
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	8-UDFN Exposed Pad
paquete de dispositivos del proveedor:	HSML3030L10

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