TPD3215M

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Pieza del fabricante	TPD3215M
Fabricante	Transphorm
Descripción	GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - arreglos
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	TPD3215M PDF

Disponibilidad

En stock	22
Precio unitario	$ 175.13000

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TPD3215M Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	2 N-Channel (Half Bridge)
característica fet:	GaNFET (Gallium Nitride)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	600V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	70A (Tc)
rds en (máx.) @ id, vgs:	34mOhm @ 30A, 8V
vgs(th) (máx) @ id:	-
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	28nC @ 8V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	2260pF @ 100V
potencia - máx.:	470W
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	Module
paquete de dispositivos del proveedor:	Module

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