IPG20N06S2L65ATMA1

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Pieza del fabricante	IPG20N06S2L65ATMA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Descripción	MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - arreglos
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	IPG20N06S2L65ATMA1 PDF

Disponibilidad

En stock	5.000
Precio unitario	$ 0.96000

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IPG20N06S2L65ATMA1 Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	*
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	55V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	20A
rds en (máx.) @ id, vgs:	65mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2V @ 14µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	12nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	410pF @ 25V
potencia - máx.:	43W
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	8-PowerVDFN
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TDSON-8-4

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